設備配置 1-2 Soak、1-2 Stripper、1-2 Clean
襯底材質 Si、Glass、Sapphire、GaAS、InP、GaN、SiC、LT、LN
適用工藝 金屬剝離、光刻膠去除
工藝指標 顆粒控制≤20ea@0.2µm、金屬去除率>99%、光刻膠去除率>99%
應用領域 先進封裝、MEMS、功率器件、射頻集成電路、半導體光學、光通訊、科研等
設備尺寸 3腔2230*1980*2450(W*D*H)、6腔3040*1980*2760(W*D*H)
技術特征:
· 設備為全自動機臺,可自動完成去膠、金屬剝離工藝;
· 設備配置浸泡、去膠、清洗三種工藝腔體;
· 浸泡單元使用藥液浸泡使晶圓表面的光刻膠溶解;
· 去膠單元對晶圓表面的金屬和光刻膠進行去除;
· 清洗單元進行清洗干燥,實現晶圓干進干出;
· 去膠液可過濾回收使用;