物理清洗機 ACL系列
SCRUBBER
設備配置 2-8 chambers(可選)
襯底材質 Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT
適用工藝 來料清洗、CMP后清洗、打標后清洗、背面清洗、光刻膠殘留清洗
工藝指標 顆粒控制(≤10ea@0.1µm)、金屬離子控制(5E9 atms/cm2)
應用領域 IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研、光罩等
設備尺寸 2-4腔2139*1986*2519(W*D*H)、8腔2400*3704*2950(W*D*H)
技術特征：
襯底材質 Si、SiC、Glass、GaAs、InP、Sapphire、LN、LT
適用工藝 來料清洗、CMP后清洗、打標后清洗、背面清洗、光刻膠殘留清洗
工藝指標 顆粒控制(≤10ea@0.1µm)、金屬離子控制(5E9 atms/cm2)
應用領域 IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研、光罩等
設備尺寸 2-4腔2139*1986*2519(W*D*H)、8腔2400*3704*2950(W*D*H)
技術特征：
· 機臺可實現多尺寸兼容；
· 晶圓表面穩定downflow，有效控制腔體內的靜態環境和動態環境；
· 多達三個噴液手臂和一個固定噴頭，實現多種噴液方式的混合使用；
· 氣液分離機制，有機和DIW的分開排廢；